为贯彻《中华人民共和国环境保护法》《中华人民共和国水污染防治法》，防治环境污染，改善生态环境质量，推动电子工业水污染防治技术进步，现批准《电子工业水污染防治可行技术指南》为国家生态环境标准，并予发布。

4.1 电子专用材料 4.1.1 生产工艺 电子专用材料包括电子功能材料、互联与封装材料和工艺与辅助材料。生产工艺包括前处理、刻蚀、电蚀、抛光、清洗、溶铜、表面处理、涂覆、粉碎、研磨等，其典型生产工艺流程及产污环节示意图见附录 A 的图 A.1 和图 A.2，主要废水产污环节如表 1 所示。 4.1.2 水污染物 水污染物主要来源于前处理、刻蚀、电蚀、抛光、清洗、溶铜、表面处理、涂覆、粉碎、研磨等生产单元的工艺废水和辅助生产系统产生的废水，主要污染物项目有 pH 值、悬浮物、石油类、化学需氧量（CODCr）、总有机碳（TOC）、氨氮、总氮、总磷、阴离子表面活性剂（LAS）、总氰化物、氟化物、总铜、总锌、总铅、总镉、总铬、六价铬、总砷、总镍、总银。表 1 电子专用材料制造主要废水产污环节 产品类别 主要产污环节 主要生产工艺 废水类别电子功能材料 前处理 切片、倒角、研磨 含悬浮物废水、有机废水刻蚀 刻蚀 酸碱废水、含氟废水、含氨废水电蚀 铝箔腐蚀 酸性废水、含氨废水抛光 抛光 有机废水清洗 酸洗 酸性废水、含氟废水碱洗 碱性废水有机溶剂洗 有机废水互联与封装材料 溶铜 溶铜 酸性废水、含重金属废水（含铜废水）表面处理 表面处理 含重金属废水（含铜废水、含锌废水、含六价铬废水）、含氰废水涂覆 有机涂覆 有机废水工艺与辅助材料 粉碎 粉碎 含重金属废水研磨 研磨 有机废水、含重金属废水－ 辅助生产系统 过滤、离子交换、反渗透、水洗等 辅助生产系统废水4.2 电子元件 4.2.1 生产工艺 HJ 1298—20233电子元件包括电容器、电阻器、电感器、电子变压器和敏感元器件等。生产工艺包括混合、研磨、清洗、端面处理、图形制作和涂覆等，其典型生产工艺流程及产污环节示意图见附录A的图A.3和图A.4，主要废水产污环节如表 2 所示。 4.2.2 水污染物 水污染物主要来源于混合、研磨和清洗、端面处理、图形制作和涂覆等生产单元的工艺废水和辅助生产系统产生的废水，主要水污染物项目有 pH 值、悬浮物、石油类、CODCr、TOC、氨氮、总氮、总磷、LAS、总氰化物、氟化物、总铜、总锌、总铅、总镉、总铬、六价铬、总砷、总镍、总银。表 2 电子元件制造主要废水产污环节 主要产污环节 主要生产工艺 废水类别混合 混合 有机废水研磨 研磨 含重金属废水（含镍废水）清洗 清洗 有机废水端面处理 端面处理 酸碱废水、含重金属废水、含氰废水图形制作 显影 含重金属废水（含银废水）刻蚀 酸碱废水、含氨废水、含氟废水涂覆 涂覆 有机废水辅助生产系统 过滤、离子交换、反渗透、水洗等 辅助生产系统废水4.3 印制电路板 4.3.1 生产工艺 印制电路板包括刚性板与挠性板，单面印制电路板、双面印制电路板、多层印制电路板，以及刚挠结合印制电路板、高密度互连印制电路板和集成电路封装载板等。生产工艺包括线路制作、化学沉铜、电镀、阻焊制作、表面处理和成型等，其典型生产工艺流程及产污环节示意图见附录A的图A.5，主要废水产污环节如表 3 所示。 4.3.2 水污染物 水污染物主要来源于内层外层线路制作、化学沉铜、电镀、阻焊制作、表面处理和成型等生产单元的工艺废水和辅助生产系统产生的废水，主要污染物项目有 pH 值、悬浮物、石油类、CODCr、TOC、氨氮、总氮、总磷、LAS、总氰化物、硫化物、氟化物、总铜、总铅、总镍、总银。表 3 印制电路板制造主要废水产污环节 主要产污环节 主要生产工艺 废水类别内层线路制作 内层前处理化学清洗 含悬浮物废水、低浓度有机废水、含重金属废水（含铜废水、络合铜废水）底片制作 含氨含重金属废水、有机废水显影 有机废水酸性刻蚀 酸性废水、含重金属废水（含铜废水）去膜 有机废水黑（棕）化 含重金属废水（络合铜废水） HJ 1298—2023 4 续表主要产污环节 主要生产工艺 废水类别化学沉铜 去钻污、沉铜 含重金属废水（含铜废水、络合废水）、有机废水电镀 镀铜/镀锡 含重金属废水（含铜废水）退镀 含重金属废水（含铜废水）外层线路制作 外层前处理化学清洗 含重金属废水（含铜废水）显影 有机废水酸性蚀铜 含重金属废水（含铜废水、络合铜废水）、含氟废水去膜 有机废水退锡 含重金属废水（铜氨废水）阻焊制作 阻焊前处理化学清洗 含重金属废水（含铜废水）显影 有机废水表面处理 热风整平焊锡、化学银/镍/金、有机可焊保护 层等 含重金属废水（络合铜废水、含镍废水、含银废水、含铜废水）、含氰废水成型 成型、清洗 含重金属废水（络合铜废水）辅助生产系统 过滤、离子交换、反渗透、水洗等 辅助生产系统废水4.4 半导体器件 4.4.1 生产工艺 半导体器件包括半导体分立器件、集成电路和半导体照明器件等。生产工艺包括前处理、清洗、外延、光刻、刻蚀、去胶、金属沉积、研磨、封装和电镀等，其典型生产工艺流程及产污环节示意图见附录 A 的图 A.6，主要废水产污环节如表 4 所示。 4.4.2 水污染物 水污染物主要来源于前处理、清洗、外延、光刻、刻蚀、去胶、金属沉积、研磨、封装和电镀等生产单元的工艺废水和辅助生产系统产生的废水，主要污染物项目有 pH 值、悬浮物、石油类、CODCr、TOC、氨氮、总氮、总磷、LAS、总氰化物、硫化物、氟化物、总铜、总锌、总铅、总镉、总铬、六价铬、总砷、总镍、总银。 表 4 半导体器件制造主要废水产污环节 主要产污环节 主要生产工艺 废水类别前处理 框架切割、划片 含悬浮物废水清洗 清洗 含氟废水、酸碱废水、含氨废水、有机废水、含磷废水外延 气相/液相/固相外延 酸碱废水、含重金属废水（含砷废水）光刻 显影 含氨废水刻蚀 湿法刻蚀 酸碱废水、含氟废水、含氨废水、含磷废水去胶 湿法去胶 有机废水、酸碱废水金属沉积 铜制程、镍制程 含重金属废水（含铜废水、含镍废水）研磨 化学机械研磨 含悬浮物废水封装 封装 含悬浮物废水、含重金属废水、有机废水电镀 电镀 有机废水（清洗废水）、含重金属废水、含氰废水辅助生产系统 过滤、离子交换、反渗透、水洗等 辅助生产系统废水 HJ 1298—202354.5 显示器件及光电子器件 4.5.1 生产工艺 显示器件包括薄膜晶体管液晶显示器件、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件、有机发光二极管显示器件、真空荧光显示器件、场发射显示器件、等离子显示器件、曲面显示器件以及柔性显示器件等。光电子器件包括电子束光电器件、电真空光电子器件、激光器件、红外器件、通信有源光器件与子系统和光无源器件等。显示器件生产工艺包括阵列、彩膜、成盒和模组等，其典型生产工艺流程及产污环节示意图见附录 A 的图 A.7～图 A.10，主要废水产污环节如表 5 所示。光电子器件生产工艺包括基片处理、外延、光刻、刻蚀、减薄等，其典型生产工艺流程及产污环节示意图见附录A的图A.11，主要废水产污环节如表 5 所示。 4.5.2 水污染物 水污染物主要来源于显示器件的阵列、彩膜、成盒和模组等生产单元，光电子器件的基片处理、外延、光刻、刻蚀、减薄等生产单元的工艺废水和辅助生产系统产生的废水，主要污染物项目有pH值、悬浮物、石油类、CODCr、TOC、氨氮、总氮、总磷、LAS、总氰化物、氟化物、总铜、总锌、总铅、总砷、总镍、总银。 表 5 显示器件及光电子器件制造主要废水产污环节产品类别 主要产污环节 主要生产工艺 废水类别显示器件 阵列 清洗 有机废水、酸碱废水光刻 有机废水、酸碱废水光刻胶剥离 有机废水湿法刻蚀 含磷废水、含重金属废水（含铜废水）、酸碱废水干法刻蚀 POU（源头处理）产生的含氟废水化学气相沉积 POU（源头处理）产生的含氟废水彩膜 光刻 有机废水（彩膜废水）显影 ITO（氧化铟锡）再生剥离 酸碱废水RGB（彩色矩阵膜）再生剥离 酸碱废水清洗 酸碱废水成盒 清洗 有机废水、酸碱废水模组 清洗 酸碱废水光电子器件 基片处理 酸洗 酸性废水外延 气相/液相/固相外延 酸碱废水、含重金属废水光刻 显影 有机废水刻蚀 湿法刻蚀 有机废水、酸碱废水减薄 减薄 含悬浮物废水－ 辅助生产系统 过滤、离子交换、反渗透、水洗等 辅助生产系统废水4.6 电子终端产品 4.6.1 生产工艺 HJ 1298—2023 6 电子终端产品包括计算机整机、计算机零部件、计算机外围设备、工业控制计算机及系统、信息安全设备和其他计算机应用电子设备等。生产工艺包括电镀、清洗、机械抛光等，其典型生产工艺流程及产污环节示意图见附录 A 的图 A.12，主要废水产污环节如表 6 所示。4.6.2 水污染物 水污染物主要来源于电镀、清洗、机械抛光等生产单元的工艺废水和辅助生产系统产生的废水，主要污染物项目有 pH 值、悬浮物、石油类、CODCr、TOC、氨氮、总氮、总磷、LAS、总氰化物、总铜、总锌、总铅、总镉、总铬、六价铬、总镍、总银。 表 6 电子终端产品制造主要废水产污环节 主要产污环节 主要生产工艺 废水类别电镀 电镀 含重金属废水、含氰废水清洗 清洗 有机废水（清洗废水）机械抛光 湿法抛光 含悬浮物废水辅助生产系统 过滤、水洗等 辅助生产系统废水4.7 其他电子设备制造 4.7.1 生产工艺 其他电子设备包括电子记事本、电子词典、电子白板等。生产工艺以组装为主，部分产品含有电镀、清洗等工艺，其典型生产工艺流程及产污环节示意图、主要废水产污环节与电子终端产品相似。4.7.2 水污染物 水污染物主要来源于电镀工艺废水，主要污染物项目有 pH 值、悬浮物、石油类、CODCr、TOC、氨氮、总氮、总磷、LAS、总氰化物、总铜、总锌、总铅、总镉、总铬、六价铬、总镍、总银。